VDD=5V,RL=3Ω,Po=3W,THD+N≤10%
宽工作电压范围1.8V—5.5V
优异的上掉电POP声抑制
无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络
单位增益稳定
CST8002D采用SOP8封装
注: 以上应用图中元件说明:
Ci:隔直电容,采用 0.39µF或更小的,进一步消除咔嗒-噼 噗声和从输入端耦合进入的噪声。
Cs:电源去耦电容,采用足够低ESR的电容(小于 1µF),当VDD=5V时,为更好的滤除低频噪声,建议另加一个低ESR电容(不小于 10µF)。去耦电容离VDD管脚越近越好,保持 1.5mm之内。
CB : BYPASS端口输出VDD/2 电压,通过电容CB (1µF)接地以保证稳定性。