PE3400
- PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE3400采用SOT23-3L封装。适用于电池保护或其他开关应用。
VDS = 30V,ID = 5.8A
RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 41mΩ @ VGS=10V
丝印:3400
PE3400 规格书下载
PE3400概述:
PE3400是N沟道增强型功率MOSFET,PE3400采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。PE3400采用SOT23-3L封装。适用于电池保护或其他开关应用。
PE3400特性:
VDS = 30V,ID = 5.8A
RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 41mΩ @ VGS=10V
丝印:3400