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PE8810B

  • PE8810B是VDS=18V，ID=7A，RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<19mΩ@VGS=3.8V，RDS(ON)<22mΩ@VGS=3.1V，RDS(ON)<25mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET

    PE8810B的丝印是PE8810B

    PE8810B提供TSSOP-8封装。


    PE8810B概述：
        PE8810B是VDS=18V，ID=7A，RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<19mΩ@VGS=3.8V，RDS(ON)<22mΩ@VGS=3.1V，RDS(ON)<25mΩ@VGS=2.5V的N沟道MOSFET。PE8810B的丝印是PE8810B，PE8810B提供TSSOP-8封装。
        The PE8810B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected.


    PE8810B特性：
    VDS = 18V, ID = 7A
    RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 19mΩ @VGS=3.8V
    RDS(ON) < 22mΩ @VGS=3.1V
    RDS(ON) < 25mΩ @VGS=2.5V
    ESD Rating: 4000V HBM
    High Power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface Mount Package


    PE8810B应用：
    PWM applications
    Load switch


    PE8810B典型应用及引脚：

    咨詢：PE8810B
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